物理性质:
高硬度(克氏硬度为3000kg/mm ),可以切割红宝石，高耐磨性，仅次于金刚石，热导率超过金属铜，是Si的3倍，是GaAs的8~10倍。SiC的热稳定性较高，在常压下不可能熔化，散热性能好，对于大功率器件非常重要。

化学性质:
耐腐蚀性非常强，室温下几乎可以抵抗任何已知的腐蚀剂SiC表面易氧化生成Si0,薄层，能防止其进一步氧化， 在高于1700°C时，这层氧化膜熔化并迅速发生氧化反应。4H-SiC和6H-SiC带隙约是Si的3倍，是GaAs的2倍;其击穿电场强度高于Si一个数量级，饱和电子漂移速度是Si的2.5倍。4H-SiC 的带隙比6H-SiC更宽。

碳化硅在半导体芯片中的主要形式为衬底。半导体芯片分为集成电路和分立器件，但不论是集成电路还是分立器件，其基本结构都可划分为“衬底-外延-器件” 结构。碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。

碳化硅晶片是碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。

碳化硅晶片作为半导体衬底材料，经过外延生长、器件制造等环节，可制成碳化硅基功率器件和微波射频器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。

根据电阻率不同，碳化硅晶片可分为导电型和半绝缘型。其中，导电型碳化硅晶片主要应用于制造耐高温、耐高压的功率器件，市场规模较大；半绝缘型碳化硅衬底主要应用于微波射频器件等领域，随着 5G 通讯网络的加速建设，市场需求提升较为明显。